Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE
Im Geschäftsfeldthema »Silizium und Germanium – epitaktische Wafer« verfügen wir über umfassende Expertise in Technologien, Anlagen und Prozessen für die chemische Gasphasenabscheidung aus Chlorsilanen (Si, SiC und Ge). Unser Ziel ist die Bereitstellung von hochwertigen und nachhaltigen Silizium- und Germanium-Wafern mit einem sehr geringen CO2-Fußabdruck.
Der Fokus unser Forschungs- und Entwicklungsarbeit liegt auf epitaktisch gewachsenen Wafern (EpiWafer) und wiederverwendbaren Wachstumsvorlagen. Neben der Gasphasenabscheidung sind das elektro-chemische Ätzen eines porösen Schichtstapels und dessen Reorganisation zentrale Prozesse, die das Ablösen des EpiWafers ermöglichen. Darüber hinaus beinhaltet die Herstellung des EpiWafers die kostengünstige Präparation des Muttersubstrates (epi-ready) sowie das Ablöseverfahren (lift-off). Die Veredelung von Reaktorteilen mit SiC-Schichten und die effiziente Nutzung der Prozessgase sind weitere wichtige Kompetenzen für eine erfolgreiche Umsetzung des EpiWafer-Konzeptes.
In enger Zusammenarbeit mit Wafer- und Anlagenherstellern testen wir innovative Prozesse auf ihre prinzipielle Funktionsweise und entwickeln sie in Richtung Hochdurchsatz und niedrige Herstellungskosten weiter. Im Rahmen unserer Arbeit sind zahlreiche Patente entstanden, die zur Lizenzierung zur Verfügung stehen.