Leistungselektronische Bauelemente und Detektoren

Ein Schwerpunkt unserer Forschung sind Schottky-Dioden mit hohen negativen Durchbruchspannungen, die für Anwendungen in der Leistungselektronik wie z.B. in Netzteilen für Batterien und Motorantrieben benötigt werden. GaAs bietet hier als Substrat mit hoher Elektronenmobilität und niedrigen Serienwiderständen erhebliche Vorteile gegenüber traditionellen Materialien wie Silizium. Zudem ist GaAs als Substrat in großen Durchmessern und hoher Qualität verfügbar, was die Herstellung effizienter Bauelemente ermöglicht. In Kombination mit ltraschnellem Wachstum entwickeln wir epitaktisch gewachsene Strukturen für Schottky-Dioden mit Dicken bis 30 µm und Durchbruchspannungen bis -400 V.

Darüber hinaus nutzen wir unsere Expertise im III-V-Wachstum für die Herstellung anderer Halbleiter-Bauelemente, wie Transistoren oder Detektoren.