Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE
Indiumphosphid (InP) ist der Eckpfeiler für die Entwicklung elektronischer und photonischer Bauelemente der nächsten Generation in zahlreichen Bereichen. InP findet unter anderem Anwendung in der Entwicklung von 5G- und 6G-Telekommunikationsnetzen, in Rechenzentren, der Automobilbranche oder der Medizin. InP-Substrate sind der höchste Standard für solche Anwendungen, die hohen Kosten und die begrenzte Verfügbarkeit sind jedoch Faktoren, die eine große Herausforderung für die Produktion in großem Maßstab darstellen.
Um dieser Herausforderung zu begegnen, haben wir eine innovative Lösung zur Herstellung hochwertiger InP-Schichten auf Galliumarsenid (GaAs)-Substraten entwickelt. Diese sogenannten »InP-on-GaAs Engineered Substrates« bieten eine Materialqualität, die der von erstklassigen InP-Substraten in nichts nachsteht, sowie eine außergewöhnliche Homogenität über die gesamte Waferfläche. Sie sind damit in der Lage, Standard-InP-Wafer in einer Vielzahl von Anwendungen effektiv zu ersetzen. InP-on-GaAs-Substrate sind »epi-ready« (bereit zum epitaxialen Aufwachsen) im 4''- und 6''-Format erhältlich.
Diese Technologie bietet eine kostengünstige und weniger spröde Alternative zu InP-Bulk-Wafern. Sie nutzt die niedrigeren Materialkosten und die etablierte Lieferkette für GaAs-Wafer. Eine vergleichbare Leistung auf Bauelementebene kann zu einem Bruchteil der Kosten erreicht werden, sodass die Produktionskosten ohne nennenswerte Qualitätseinbußen gesenkt werden können.