Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE
Das Lab für »III-V- und Si-Reinraumtechnologie« bildet – gemeinsam mit dem »III-V, Si & Ge Epitaxie Lab« – eine zentrale technologische Säule im »Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen« des Fraunhofer ISE. Hier entwickeln und qualifizieren wir Schlüsselprozesse der Halbleiterfertigung, die die Grundlage für Solarzellenwirkungsgrade auf internationalem Spitzenniveau schaffen.
Neben Prozessen für klassische Silizium-Solarzellen stehen insbesondere Prozesse für hocheffiziente III-V-, Si- und Tandemzellen der nächsten Generation im Fokus. Diese Technologien addressieren Anwendungen in Raumfahrt, Elektromobilität, Konzentrator-PV, Energieautarkie sowie der Leistungselektronik. Das Fraunhofer ISE hält in diesem Bereich mehrere Weltrekorde, darunter 26 % für beidseitig kontaktierte Silizium-Solarzellen, 36,1 % für eine III-V/Si-Tandemzelle, 47,6 % für eine Vierfach-Konzentratorsolarzelle auf III-V-Basis, sowie 68.9% Wirkungsgrad einer GaAs-Zelle unter Laserlicht zur optischen Energieübertragung.
Auf über 1000 m² Reinraum- und Laborfläche stehen sämtliche relevanten Prozessketten bereit: Photolithographie, nass- und trockenchemisches Ätzen für III-V- und Silizium-Materialien, PVD-Metallisierungen und dielektrische Schichten sowie hochpräzises Waferbonding. Unsere Infrastruktur ermöglicht sowohl die Entwicklung innovativer Prozesse und vollständiger Prozessketten als auch die Umsetzung pilotnaher kundenangepasster Entwicklungen. Wie unterstützen wir bei einzelnen Fertigungsschritten – flexibel, industrienah und auf höchste wissenschaftliche Anforderungen ausgerichtet.
