Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE
Wir entwickeln Epitaxieprozesse und Materialien auf der Basis von III‑V-Halbleiterverbindungen für verschiedene Anwendungen.
Für die Schichtherstellung stehen uns zwei moderne Reaktoren zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE engl. metal organic vapor phase epitaxy) im Industriemaßstab zur Verfügung:
- Ein AIX2800 G4-TM-Reaktor mit 8x6-Zoll-Konfiguration
- Ein CRIUS Showerhead-Reaktor für 7x4-Zoll oder 1x300 mm -Substrate
Zur Materialcharakterisierung steht uns eine Vielzahl von Methoden zur Verfügung:
- Elektrochemische Kapazitäts-Spannungs (ECV)-Messungen
- Spektral- und ortsaufgelöste Photolumineszenz (PL)
- Elektrolumineszenz (EL)
- Kathodolumineszenz (CL)
- Röntgenbeugung (XRD)
- Nomarski-Differentialinterferenzkontrast (DIC)-Mikroskopie
- Candela-Oberflächeninspektion
- Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS)
- Rasterelektronenmikroskopie (REM)
- Deep-level Transient Spectroscopy (DLTS)
- Elektronenstrahlinduzierter Strom (electron beam induced current, EBIC)-Messungen
- Elektronenkanal-Kontrast-Bildgebung (electron channeling contrast imaging, ECCI)
- Infrarot-Fourier-Spektroskopie
- Rasterkraftmikroskopie (atomic force microscopy, AFM)
- Hall-Van-der-Pauw-Messungen