Virtueller Rundgang durch das Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen
Im »Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen« evaluieren wir Technologien, mit denen höchste PV-Wirkungsgrade erreicht werden können, und setzen sie auf internationalem Spitzenniveau um. Zu den Anwendungsmöglichkeiten von Höchsteffizienzsolarzellen gehören neben herkömmlichen Solarmodulen auch die Stromversorgung von Satelliten, Elektroautos, autarken Sensoren sowie elektronischen Geräten. Das Fraunhofer ISE hält im Bereich der höchsteffizienten Solarzellen mehrere Weltrekorde, wie den Wirkungsgradrekord für beidseitig kontaktierte Siliciumsolarzellen (26 %) oder den Wirkungsgradrekord von 47,6 % für eine Vierfachsolarzelle, basierend auf einer III-V-Mehrfachzellarchitektur.
Um diese Spitzenstellung weiter ausbauen zu können, haben wir nach einer intensiven Planungs- und Bauphase unser neues Laborgebäude eingeweiht, das über eine an die künftigen technologischen Herausforderungen angepasste Reinraumausstattung verfügt. Im neuen »Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen« können auf mehr als 1000 m2 modernstem Reinraum und Laborfläche fortschrittliche PV-Technologien getestet und optimiert werden. Dort sollen innovative Prozesse und Technologien für den künftigen Einsatz in der Industrie erforscht werden. Neben der Weiterentwicklung der Silicium- und III-V-Technologie, liegt ein Fokus des neuen Zentrums in der Kombination dieser beiden Materialien: Höchsteffiziente siliciumbasierte Tandemzellen sind eine der vielversprechendsten Zukunftstechnologien der Photovoltaik. Mit dem neuen Laborgebäude will das Fraunhofer ISE auch in Zukunft wegweisende neue Solarzellentypen und -Technologien entwickeln und die Wettbewerbsfähigkeit der deutschen und europäischen PV-Industrie steigern.
Flexibel nutzbarer Reinraum mit 740 m² und weitere Laborflächen von 340 m² mit angepassten ReinstmedienversorgungssystemHochtemperaturdiffusion (BBr3, POCl3)Hochtemperaturoxidation (trocken und feucht)Ionenimplantation (P, B, H, Ga, Si)Nasschemische Prozesse zur Reinigung und Strukturierung von Si oder III-V WafernGelblichtbereich für Photo- und Laserlithographie zur Erzeugung von Mikrostrukturen mit beidseitiger AlignierungWaferbonding-Technologie (zur Verbindung von III-V Wafern oder III-V und Si-Wafern)Plasmatechnologie (PECVD- und LPCVD-Abscheidung und Plasmaätzen)Atomlagenabscheidung (ALD) (zur Abscheidung von Al2O3, TiOx, ITO, TCOs, etc.)Bearbeitung von flexiblen Wafergrößen bis zu M4 (162 x 162 mm²)Aufdampfanlagen für thermisches- und Elektronenstrahlverdampfen von Metallen und dielektrischen SchichtenGalvanische Metallverdickung für die Kontaktierung von SolarzellenUmfangreiche Ausrüstung zur Material- und Bauelementcharakterisierung |
Das Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen wurde am 27. April 2021 virtuell eingeweiht, u..a. mit einem Grußwort von Ministerpräsident Winfried Kretschmann.
Mehr dazu erfahren Sie in unserer Presseinformation »Zentrum für höchsteffiziente Solarzellen« – Fraunhofer ISE weiht neues Laborgebäude ein.