Jetzt meldet das Fraunhofer ISE einen wesentlichen Fortschritt in der Entwicklung seiner EpiWafer, die im so genannten drop-in-Verfahren konventionelle Cz-Wafer ersetzen können. Das Freiburger Forscherteam hat gemeinsam mit NexWafe alle Produktionsschritte für EpiWafer optimiert. Die Analyse der neuen n-dotierten Wafer zeigt, dass die Minoritätsträgerlebensdauer höher ist als 1000 µs, was der Qualität von herkömmlichen n-Typ Cz-Wafern entspricht. Solarzellen, die auf diesen EpiWafern hergestellt werden, erzielen einen Wirkungsgrad von 20 %, ein durch das unabhängige Fraunhofer ISE CalLab bestätigter Wert. »Ich freue mich sehr über dieses tolle Ergebnis«, sagt Dr. Stefan Janz, Abteilungsleiter Siliciummaterialien. »Dieser Erfolg zeigt die schnellen Fortschritte, die wir bereits innerhalb weniger Monate des Arbeitens mit EpiWafern erreichen konnten.« Die Solarzelle erreicht einen Kurzschlussstrom von 39.6 mA/cm², ein Weltrekord für epitaktisch gewachsene Siliciumsolarzellen. Die neuen Ergebnisse werden am Dienstag in Hamburg auf der europäischen Photovoltaik-Konferenz EUPVSEC vorgestellt.

Dr. Stefan Reber, Geschäftsführer von NexWafe, ist ebenfalls begeistert von diesen neuen Ergebnissen: »Diese Werte zeigen, dass wir mit unseren EpiWafern eine bahnbrechende Technologie entwickelt haben. Sie beschleunigt die Marktentwicklung hin zu hocheffizienten Modulen, indem sie qualitativ hochwertige monokristalline EpiWafer zu sehr wettbewerbsfähigen Preisen anbietet, ohne dass der Zellhersteller seinen Prozess ändern muss.«