Halbleiterbauelemente werden in der Regel elektrisch verschaltet. Je nach Branche werden dabei unterschiedliche Fügetechnologien eingesetzt. Dies reicht vom klassischen Löten spezieller Verbinder über das Drahtbonden bis hin zum leitfähigen Kleben. Die Güte der Fügestellen ist dabei oftmals maßgeblich für die Lebensdauer des finalen Produkts, welches in der Regel betriebsbedingten thermischen und mechanischen Belastungen ausgesetzt ist.
In der Welt des Fügens sind Laserprozesse heute in vielfältiger Weise etabliert und weisen einige grundlegende Vorteile auf. So arbeitet der Laser berührungslos mit einem sehr niedrigen, exzellent dosierbaren und nach Wunsch lokal begrenzten Wärmeeintrag. Es können ungleiche Fügepartner auch ohne die Verwendung zusätzlicher Materialien wie beispielsweise Lot oder Flussmittel verbunden werden, was die Technologie besonders nachhaltig und günstig macht. Die präzise und schnelle Steuerung der Laserprozesse bietet insbesondere in Verbindung mit einem In-situ-Diagnoseverfahren die Möglichkeit, produktionsbedingte Materialschwankungen auszugleichen und dabei Fügestellen gleichbleibender Qualität zu erzeugen.
Gemeinsam mit unseren Projektpartnerinnen und -partnern arbeiten wir seit dem Jahr 2007 an laserbasierten Mikro-Fügeprozessen zum Anbinden dünnster Aluminiumfolie an unterschiedliche Oberflächen und Materialien. Im Rahmen dieser Forschungsaktivitäten wurde ein ganzer »Baukasten« unterschiedlicher Verbindungsprozesse entwickelt und erprobt. Dies umfasst einerseits Bonding-Prozesse auf Keramiken zur Metallisierung von Halbleiterwafern oder anderen Bauelementen. Weiterhin entwickeln wir Mikro-Schweißprozesse zum Anbinden der Folien an wenige Mikrometer dünne Leiterbahnen aus Silber, Aluminium oder Kupfer. Eingesetzt werden diese Prozesse in der Regel zur elektrischen Verschaltung, wie beispielsweise bei Solarzellen, Batterien oder Komponenten der Leistungselektronik.