III-V Halbleiter decken einen breiten Spektralbereich des Sonnenspektrums ab und eignen sich daher hervorragend, um den sichtbaren und nahen Infrarotbereich des Sonnenspektrums effizient in elektrischen Strom zu wandeln. In Kombination mit Silicium lassen sich höchsteffiziente Tandemsolarzellen realisieren, sowohl mit zwei- als auch mit drei Teilzellen. Die III-V Halbleiterschichten sind nur wenige Mikrometer dick, denn die Halbleiter weisen eine hohe optische Absorption auf. Die Kombination mit Silicium eröffnet interessante Wege zu einer kostengünstigen Fertigung, allerdings gibt es auch Herausforderungen, welche wir in FuE-Projekten adressieren. Hierzu gehören eine kostengünstige Epitaxie der III-V Schichten auf Silicium bzw. das Überwinden von Unterschieden in der Gitterkonstante der Materialien. Am Fraunhofer ISE entwickeln wir derzeit monolithische Solarzellenkonzepte mit 2-Terminals, wobei die III-V Schichten entweder direkt auf Silicium gewachsen werden, oder von einem GaAs Substrat mittels Wafer-bonden bzw. Kleben übertragen werden. Die effizientesten Zellen erreichen Spitzenwirkungsgrade von 34.5% unter dem AM1.5g Spektrum, ein Weltrekord.