Wissenschaftlern des Fraunhofer-Instituts für Solare Energiesysteme ISE ist es gemeinsam mit dem Unternehmen III/V-Reclaim gelungen, hochwertige Indiumphosphid-auf-Galliumarsenid-Substrate (InP-auf-GaAs-Wafer) mit einem Durchmesser von bis zu 150 mm herzustellen. Diese neuen Wafer können klassisches Indiumphosphid in einer Vielzahl von Anwendungen effektiv ersetzen und bieten einen skalierbaren Weg zu geringeren Kosten. Das Forschungsteam entwickelte ein Verfahren, um eine dünne Schicht aus hochqualitativem InP auf GaAs aufzubringen. Nach einer speziellen Oberflächenbehandlung werden diese Wafer für die Epitaxie breitgestellt, sodass Kunden direkt III-V-Strukturen aufwachsen und leistungsfähige Halbleiterbauelemente auf InP-Basis herstellen können.
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Sophia Bächle
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