Methoden und Ausstattung

Zur Qualitätssicherung verfügen wir insbesondere über folgende apparative Möglichkeiten:

 

Inline:

 

  • Wafereingangskontrolle
    • Geometriekontrolle (SW-Vision)
    • Ausbruchkontrolle (SW-Vision)
    • Waferdicke und Dickentopographie
    • Analyse auf Mikrorissen und Ausscheidungen (IR-Durchlicht)
  • Basis- und Emitterschichtwiderstand (induktive Schichtwiderstandsmessung)
  • Lebensdauermessung (QSSPC)
  • Texturkontrolle
  • Schichtdicken- und Schichthomogenitätskontrolle (Farb-Vision)
  • Solarzellenausgangskontrolle
    • IV-Kennlinienmessung (hell, dunkel, SunsVoc)
    • Metallisierungswiderstände
    • Farbkontrolle
    • Druckbildkontrolle
  • Nasschemieanalytik

 

Offline:

 

  • Lebensdauermessung (QSSPC)
  • Lebensdauertopographien (MWPCD, CDI, PL)
  • Diffusionslängentopographien (SR-LBIC)
  • Schichtwiderstandstopographien (4-Spitzen, SRI)
  • Dotierprofile (Stripping-Hall)
  • spektrale Reflexionsmessung
  • Ellipsometrie (Einwellenlängen-, Spektral-)
  • Mikroskopie
  • 3D-Profilometrie (Konvokalmikroskopie, Laserprofilometrie)
  • Photolumineszenz-Imaging (PL am Wafer)
    • Versetzungsdichte-Topographien am as-cut Wafer
    • Lebensdauer-Topographien
  • Photolumineszenz- / Elektrolumineszenz-Imaging (PL/EL an Solarzelle)
    • Serienwiderstands-Topgraphien
    • Dunkelstrom-Topographien
    • Emitterschichtwiderstands-Topographien
    • Mikroriss-Analyse
  • Thermographie-Imaging (ILIT, DLIT): Shunt-Analyse, Durchbruchverhalten
  • Kontaktwiderstandstopographie
  • Metallisierungswiderstandsmessung (TLM)
  • SunsVoc Kennlinienmessung
  • großflächige Quanteneffizienzmessung (EQE)
  • Nasschemieanalytik