Epitaxie (MOVPE)

Aixtron 2800 G4-TM-Reakto
© Fraunhofer ISE

Aixtron 2800 G4-TM-Reaktor im Labor des Fraunhofer ISE

CRIUS Showerhead-Reaktor
© Fraunhofer ISE

CRIUS Showerhead-Reaktor im Labor des Fraunhofer ISE.

Wir analysieren und optimieren das epitaktische Wachstum von III-V Halbleitermaterialien auf III-V-, Ge- und Si-Substraten. Unsere Kompetenzen umfassen insbesondere das Wachstum von epitaktischen Schichtstrukturen. Einen Schwerpunkt bildet das metamorphe Wachstum von Halbleiterschichten mit unterschiedlicher Gitterkonstante.

Weiterhin untersuchen wir Wachstumsprozesse für neuartige Verbindungen wie GaInNAs.

Für die Schichtherstellung stehen uns zwei modernste MOVPE-Reaktoren im Industriemaßstab zur Verfügung: ein AIX2800 G4-TM-Reaktor mit 8x6-Zoll Konfiguration sowie ein CRIUS Showerhead-Reaktor für 7x4-Zoll oder 1x300 mm Substrate.

Das epitaktisch hergestellte Material können wir mit verschiedenen Methoden charakterisieren. Diese umfassen beispielsweise ECV-Profiling, Photolumineszenz, Röntgenbeugung, Nomarski Interferenz-Kontrast Mikroskopie, EBIC, AFM oder Hall van der Pauw Messungen.

Wir untersuchen hauptsächlich folgende Materialsysteme:
GaAs, AlGaAs, GaInP, AlGaInP, GaAsP, GaInAs, GaInNAs

Substrate:
GaAs, Ge, InP, Si

 

Ausgewählte Veröffentlichungen zum Thema (Fraunhofer-Publica)