Charakterisierung von SiC-Dioden und Transistoren bis 20 kV

Tests im Spannungsbereich von 100 V - 20 kV

© Fraunhofer ISE

Prototyp eines lateralen GaN-Transistors.

Aktive Halbleiterschalter sind das Kernelement in jedem leistungselektronischen Umrichter. Sie bestimmen direkt das Systemverhalten, den Wirkungsgrad, die Schaltfrequenz und das thermische Management. Die genaue Kenntnis des statischen und dynamischen Verhaltens ist daher unbedingt für die optimale Auslegung eines Systems nötig. Gerade bei neu erhältlichen Bauelementen sind die Datenblattwerte oft noch nicht ausführlich vorhanden oder ungenau.

In unseren Laboren können wir Leistungstransistoren im Spannungsbereich von 100 V bis 20 kV charakterisieren. Unsere Teststände können dafür auf alle üblichen Gehäuseformen für diskrete Transistoren von FlipChip- über SMD- nach Through-Hole-Gehäusen angepasst werden. Spezielle Leistungshalbleitermodule können ebenfalls vermessen werden. Zum Aufnehmen der Kennlinien setzen wir modernste breitbandige Strom- und Spannungssensoren ein.